[发明专利]发光二极管芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110330165.5 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113284999B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 林云真;刘源;沈燕;郝亚磊;尹灵峰 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/56;H01L33/06;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。斥水膜层层叠在钝化保护层上的同时，斥水膜层还延伸至n电极的外周壁与p电极的外周壁上，则斥水膜层直接覆盖了钝化保护层的第一通孔与第二通孔，与n电极及p电极之间的间隙，将间隙与外界进行隔绝，避免水汽从第一通孔与第二通孔所在的位置进入发光二极管芯片的内部，可以减小发光二极管芯片受到水汽的影响，延长发光二极管芯片的使用寿命。且斥水膜层本身位于在钝化保护层的表面，也可以减小水汽通过钝化保护层进入芯片内部的可能，也可以一定程度上延长钝化保护层本身的使用寿命，也可以提高发光二极管芯片的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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