[发明专利]三维存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110333239.0 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN112838097B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 王迪 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B43/35 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。制备方法包括：在衬底上形成叠层结构；形成贯穿叠层结构并延伸至衬底的沟道孔；在沟道孔内形成外延层以及位于外延层上的沟道结构，沟道结构包括功能层和沟道层；移除衬底和外延层以暴露沟道层；以及形成与沟道层接触的导电层。根据该制备方法，从背面引出沟道层，避免了深孔刻蚀工艺，简化了三维存储器的制备方法；利用外延层作为牺牲层，重新引入导电层连接沟道层，保证了三维存储器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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