[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110333353.3 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN115132727A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 金吉松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：第一晶体管结构，包括基底、位于基底上的第一沟道层、覆盖第一沟道层的第一栅介质层、覆盖第一栅介质层的第一栅极结构、以及位于第一栅极结构两侧的第一源漏掺杂层；键合层，位于第一晶体管结构的键合面上；第二晶体管结构，位于键合层上，包括第二沟道层、覆盖第二沟道层的第二栅介质层、覆盖第二栅介质层的第二栅极结构、以及位于第二栅极结构两侧的第二源漏掺杂层；导电插塞，贯穿第二栅极结构底部的第二栅介质层和键合层，电连接第二栅极结构和第一栅极结构。本发明在第一栅极结构和第二栅极结构未物理接触的情况下，通过导电插塞实现两者的电性连接，从而易于获得基于CFET结构的反相器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
