[发明专利]掩膜结构、半导体结构及制备方法在审
| 申请号： | 202110333446.6 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113097139A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 徐朋辉;宛强;刘涛;李森;夏军;占康澍;王景皓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掩膜结构、半导体结构及制备方法，掩膜结构的制备方法包括：图形化第一牺牲层及第一硬掩膜层，以得到第一牺牲图形，第一牺牲图形暴露第一刻蚀停止层；于第一牺牲图形的侧壁形成第一初始掩膜图形；去除第一牺牲图形；基于第一初始掩膜图形去除暴露出顶面的部分第一刻蚀停止层；去除第一初始掩膜图形，以位于图形转移层的上表面的剩余第一刻蚀停止层为第一掩膜图形；于第一掩膜图形上形成第二掩膜图形，得到具有对称形貌的第一掩膜图形和第二掩膜图形的掩膜结构，消除因材料选择比的差异引起的负载效应，使得在图形向下转移时，得到孔径均一、孔径方向一致的电容孔，增大电容存储电量，提高晶圆的生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 膜结构 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
