[发明专利]阵列基板及其制备方法有效
申请号: | 202110333691.7 | 申请日: | 2021-03-29 |
公开(公告)号: | CN113113437B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 宋德伟;艾飞;宋继越 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本申请实施例公开了一种阵列基板及其制备方法,在阵列基板中,第一导电层设置在薄膜晶体管结构层上,第一导电层包括第一电极;感光二极管设置在第一电极上;第一绝缘层覆盖所述感光二极管,第一绝缘层上开设有第一开孔,第一开孔裸露出感光二极管;第二导电层包括保护部,保护部设置在第一开孔内且与感光二极管相连;第二绝缘层覆盖第一绝缘层,第二绝缘层上开设有第二开孔和第三开孔,第二开孔裸露出保护部,第二开孔的深度小于第三开孔的深度;第三导电层设置在第二绝缘层上,第三导电层包括第二电极,第二电极通过第二开孔连接于保护部。本申请在感光二极管上形成一保护部,避免在曝光和蚀刻第三开孔的过程,降低感光二极管的性能。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的