[发明专利]光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统有效
| 申请号： | 202110340148.X | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113721430B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 赵仲平;张文龙;戴茂春;淮赛男;周宇 | 申请（专利权）人： | 腾讯科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 祝亚男 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请关于一种用于光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统，涉及芯片制备技术领域。该方法包括：获取表面具有光刻胶，且光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层的目标晶圆；将目标晶圆置于温度为第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长；响应于第一指定时长结束，使用新的第一有机溶剂对目标晶圆进行冲洗；在第一有机溶剂中，基于指定超声功率对冲洗后的目标晶圆进行第二指定时长的超声清洗；响应于第二指定时长结束，去除目标晶圆表面残留的第一有机溶剂；通过离心甩干的同时进行气体吹扫的方式对溶剂去除后的目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的目标晶圆。通过上述方法，提高了光刻胶的处理效果，同时提高了获得的金属器件的产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 方法 以及 系统 | ||
【主权项】：
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