[发明专利]一种｛03-38｝面碳化硅外延及其生长方法有效
| 申请号： | 202110340247.8 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113073389B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 左万胜;钮应喜;单卫平;朱明兰;胡新星;仇成功;袁松;张晓洪;史田超;史文华 | 申请（专利权）人： | 安徽长飞先进半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;H01L21/02 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种{03‑38}面碳化硅外延及其生长方法，通过使用双(三甲基硅基)甲烷作为Si源和C源，降低生长温度从而降低Z1/2中心；该生长方法制备的{03‑38}面碳化硅外延的结构为由上至下依次包括：正轴{03‑38}面SiC衬底、4H‑SiC缓冲层、4H‑SiC漂移层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 03 38 碳化硅 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
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