[发明专利]薄膜晶体管基板及配备该薄膜晶体管基板的显示装置在审
| 申请号： | 202110346338.2 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113851486A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 孙尙佑;文然建;金明花;金兑相;朴根徹;朴晙皙;林俊亨;崔惠临 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 习瑞恒;全振永 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管基板及配备该薄膜晶体管基板的显示装置。为了实现薄膜晶体管基板内载流子迁移率增加的薄膜晶体管基板及配备该薄膜晶体管基板的显示装置，本发明的薄膜晶体管基板包括：有源层，布置于基板上，并且包括第一半导体物质层、布置于所述第一半导体物质层上并包括金属原子的导体层以及布置于所述导体层上的第二半导体物质层；栅极绝缘层，布置于所述有源层上；以及栅极电极，布置于所述栅极绝缘层上，并且至少一部分重叠于所述有源层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 配备 显示装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
