[发明专利]页缓冲器及包括页缓冲器的半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202110347036.7 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114067865A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 崔亨进 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C7/12;G11C8/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本技术涉及页缓冲器及包括页缓冲器的半导体存储器装置。页缓冲器包括感测节点、连接在感测节点和位线之间的位线控制器。位线控制器被配置为对感测节点进行第一预充电和第二预充电。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲器 包括 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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