[发明专利]一种芯片的制造方法、制造设备和芯片有效
| 申请号： | 202110348496.1 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113178385B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 王超;任宏志 | 申请（专利权）人： | 青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228;H01L21/265;H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 266200 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种芯片的制造方法、制造设备和芯片，所述制造方法包括步骤：将磷源和硅片层叠放置，使磷源扩散至硅片，在所述硅片的至少一面形成磷扩散结构层；去除经磷扩散后的所述硅片的其中一面上的所述磷扩散结构层；将镓源涂布在去除磷扩散结构层的所述硅片的一面上，以进行镓扩散，从而在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成有镓扩散结构层；将硼源涂布在所述硅片形成有镓扩散结构层的一面上，以进行硼扩散，从而在所述硅片去除所述磷扩散结构层的一面形成硼扩散结构层；将铂源涂布在所述硅片形成有硼扩散结构层的一面上，以进行铂扩散；在硼扩散前先进行镓扩，使得硼结形成的结深平缓，改善现有的芯片的电压离散性和压降特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
