[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110350204.8 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113097210B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 于业笑;张俊逸 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 姚姝娅 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底；沟槽，位于衬底内；位线接触结构，位于沟槽内，且位线接触结构的上表面低于衬底的上表面，位线接触结构沿第一方向延伸；位线结构，位于位线接触结构上，且至少部分位于沟槽内；位线保护结构，包括顶层介质层及侧墙结构，顶层介质层位于位线结构上，与位线结构共同构成叠层结构；侧墙结构覆盖叠层结构位于衬底上的部分的侧壁，侧墙结构内具有第一空气间隙；隔离图形结构，隔离图形结构内具有第二空气间隙，所述隔离图形结构沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交，以于相邻位线保护结构之间及相邻隔离图形结构之间形成电容接触孔。可以减小电容接触孔的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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