[发明专利]微纳射频器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110353170.8 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113086943B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 陈泽基;杨晋玲;袁泉;刘文立;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种微纳射频器件及制备方法，方法包括：在SOI片上生长隔离层；图形化隔离层，以在SOI片上形成谐振单元、电极引线、信号屏蔽层及封装环；在谐振单元的侧壁生长微纳级间隔层；去除电极引线、信号屏蔽层及封装环表面的隔离层，在SOI表面生长一层导电层，对导电层图形化，保留电极引线、信号屏蔽层、封装环部分上的导电层，以及在谐振单元与电极引线之间形成输入电极及输出电极；去除谐振单元表面的隔离层及SOI片上正对谐振单元的绝缘层。该方法可在微纳射频器件谐振单元侧壁制备微纳级间隔层，进而实现微纳级电容间隙，突破微纳射频器件机电转换效率低、驱动电压高等技术瓶颈，且制备垂直引线结构，可实现低寄生、小尺寸封装。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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