[发明专利]一种制备TaC的方法有效
| 申请号： | 202110355584.4 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113215551B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 胡晓君;姜从强;陈成克;蒋梅燕;李晓 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C23C16/32 | 分类号： | C23C16/32;C23C16/44;C23C16/26;C01B32/914;C01B32/21 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 黄美娟 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备TaC的方法。该制备方法是在HFCVD中利用钽丝作为钽源和加热源，在石墨衬底上一步法直接制备得到TaC，对于拓宽TaC在工业领域的应用有重要价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 tac 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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