[发明专利]光电传感器及其形成方法、电子设备在审
| 申请号： | 202110357931.7 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN115188777A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 任惠;张大明;王志高 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L27/148 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光电传感器及其形成方法、电子设备，所述光电传感器包括：第一基底，具有第一表面；所述第一基底包括像素区，所述像素区包括多个阵列排布的子像素区；陷光槽，位于所述第一表面的所述子像素区中；隔光结构，贯穿于相邻所述子像素区之间的部分厚度的第一基底中。本发明实施例将所述陷光槽和隔光结构整合在所述光电传感器中，有利于防止相邻像素之间发生光学串扰、提高像素区的光学透过率，提升了光电传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 传感器 及其 形成 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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