[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110359702.9 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN114094011A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 徐准赫;张明植 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底之上形成包括模制层和支撑件层的模制结构；形成贯穿模制结构的开口；在开口的底表面和侧壁上形成保护层；在保护层之上形成下电极；选择性地蚀刻支撑件层，以形成支撑下电极的支撑件；去除模制层以限定保护层外壁的非暴露部分和暴露部分；以及选择性地修整保护层的暴露部分，以形成在支撑件与下电极之间的保护层图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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