[发明专利]半导体装置、集成晶片与其形成方法在审
| 申请号： | 202110363844.2 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113555314A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔;荷尔本·朵尔伯斯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L29/06;H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭示内容是关于一种包括半导体装置、集成晶片与其形成方法。半导体装置包括上伏于第一基板的正面的栅极结构。第一基板具有与正面相对的背面。第一源极/漏极结构上伏于第一基板并且在横向上与栅极结构相邻。电力轨嵌入在第一基板中，并直接位于第一源极/漏极结构下方。第一源极/漏极触点自第一源极/漏极结构连续地延伸至电力轨。第一源极/漏极触点将第一源极/漏极结构电耦合至电力轨。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 集成 晶片 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
