[发明专利]测试三维集成电路中硅穿孔的电路结构在审
| 申请号： | 202110371035.6 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN115116872A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 张守仁;吕俊麟;陈俊丞 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种测试三维集成电路中硅穿孔的电路结构，包含一硅穿孔区域，其中形成有多个硅穿孔、以及一交换器电路，具有多条行线与多条列线构成可寻址式测试阵列，其中每个该硅穿孔的两端分别与一条该行线与一条该列线连接，该交换器电路通过一条该列线发送测试电压信号至同一列的该些硅穿孔，并通过该些行线接收行经该列硅穿孔的电流信号，或者该交换器电路通过一条该行线发送测试电压信号至同一行的该些硅穿孔，并通过该些列线接收行经该行硅穿孔的电流信号。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 三维集成电路 穿孔 电路 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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