[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110374042.1 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113206143A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 隋晓明;杨彦涛;陈琛;曹俊;楚婉怡 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集昕微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/48;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李镇江 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，所述衬底中设置有实现器件功能的元胞器件结构；位于所述衬底上方的介质层，所述介质层中设置有第一类接触孔和第二类接触孔，所述第一类接触孔和第二类接触孔贯穿所述介质层；位于所述介质层上方的元胞区金属电极和终端区金属电极，所述元胞区金属电极填充所述第一类接触孔，所述终端区金属电极填充所述第二类接触孔；位于所述元胞区金属电极和终端区金属电极上方的钝化层，所述钝化层暴露出部分所述元胞区金属电极和部分所述介质层。本发明实施例的半导体器件提高了半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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