[发明专利]用于半导体器件的钝化层及其制造方法在审
| 申请号： | 202110376709.1 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN114551370A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 刘力群;王俊棠;王志弘;李庆峰;叶玉隆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括超厚金属(UTM)结构。半导体器件包括钝化层，钝化层包括第一钝化氧化物。第一钝化氧化物包括非偏置膜和第一偏置膜，其中非偏置膜在超厚金属结构的部分的上方且在超厚金属结构形成于其上的层的部分的上方，且第一偏置膜在非偏置膜上。钝化层包括由第二偏置膜组成的第二钝化氧化物，第二偏置膜在第一偏置膜上。钝化层包括由第三偏置膜组成的第三钝化氧化物，第三偏置膜在第二偏置膜上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 钝化 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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