[发明专利]一种带异步置位复位的CMOS混合型SR忆阻锁存器电路有效

专利信息
申请号: 202110390108.6 申请日: 2021-04-12
公开(公告)号: CN112953498B 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 林弥;陈俊杰;王旭亮;罗文瑶;韩琪 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H03K19/003 分类号: H03K19/003;H03K19/094
代理公司: 浙江永鼎律师事务所 33233 代理人: 陆永强
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种带异步置位复位的CMOS混合型SR忆阻锁存器电路,包括二个模块:SR忆阻锁存器模块以及忆阻异步置位复位功能模块。SR忆阻锁存器模块包括第一MOS管T1、第二MOS管T2、第三MOS管T3、第四MOS管T4、第五MOS管T5、第六MOS管T6、第一忆阻器M1、第一反相器N1和第二反相器N2以及第一电阻R1;忆阻异步置位复位功能模块包括第二忆阻器M2、第三忆阻器M3、第四忆阻器M4、第五忆阻器M5以及第三反相器N3;SR忆阻锁存器模块由忆阻器与CMOS混合构成,电路具有非易失性。忆阻异步置位复位功能模块由忆阻器构成的与门和或门构建而成,利用忆阻逻辑门电路最大化简化电路结构从而减少元器件数量。
搜索关键词: 一种 异步 复位 cmos 混合 sr 忆阻锁存器 电路
【主权项】:
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