[发明专利]一种阵列基板的制备工艺、阵列基板及显示装置有效
申请号: | 202110391099.2 | 申请日: | 2021-04-12 |
公开(公告)号: | CN113113353B | 公开(公告)日: | 2023-09-19 |
发明(设计)人: | 苏同上;刘宁;周斌;刘军;王庆贺;闫梁臣 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/84;H01L23/538;H01L27/12 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 曹娜 |
地址: | 230012 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种阵列基板的制备工艺、阵列基板及显示装置。该阵列基板的制备工艺包括以下步骤:对第一膜层进行湿法刻蚀,形成第一盲孔;在对第一膜层进行刻蚀的一侧形成第二膜层,第二膜层覆盖第一盲孔;在对齐第一盲孔处对第二膜层进行湿法刻蚀,形成第二盲孔;对第二盲孔进行干法刻蚀,形成贯穿第一膜层和第二膜层的过孔。本申请通过分步湿法刻蚀,第一步针对第一膜层进行湿法刻蚀形成未贯穿第一膜层的第一盲孔,第二步湿法刻蚀仅针对第二膜层,第二膜层完全覆盖第一盲孔,通过第二次湿法刻蚀后的第二膜层能够封闭第二膜层和第一膜层之间的界面,防止刻蚀液从横向进入界面钻刻,从而避免出现刻蚀裂缝。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 制备 工艺 显示装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110391099.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种密闭式生态养鱼系统及其养鱼方法
- 下一篇:一种气滑环
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造