[发明专利]一种阵列基板的制备工艺、阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 202110391099.2 申请日: 2021-04-12
公开(公告)号: CN113113353B 公开(公告)日: 2023-09-19
发明(设计)人: 苏同上;刘宁;周斌;刘军;王庆贺;闫梁臣 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/84;H01L23/538;H01L27/12
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 曹娜
地址: 230012 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本申请涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种阵列基板的制备工艺、阵列基板及显示装置。该阵列基板的制备工艺包括以下步骤:对第一膜层进行湿法刻蚀,形成第一盲孔;在对第一膜层进行刻蚀的一侧形成第二膜层,第二膜层覆盖第一盲孔;在对齐第一盲孔处对第二膜层进行湿法刻蚀,形成第二盲孔;对第二盲孔进行干法刻蚀,形成贯穿第一膜层和第二膜层的过孔。本申请通过分步湿法刻蚀,第一步针对第一膜层进行湿法刻蚀形成未贯穿第一膜层的第一盲孔,第二步湿法刻蚀仅针对第二膜层,第二膜层完全覆盖第一盲孔,通过第二次湿法刻蚀后的第二膜层能够封闭第二膜层和第一膜层之间的界面,防止刻蚀液从横向进入界面钻刻,从而避免出现刻蚀裂缝。
搜索关键词: 一种 阵列 制备 工艺 显示装置
【主权项】:
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