[发明专利]一种对应边缘无端处理的硅片的清洗方法有效
| 申请号： | 202110393616.X | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113257660B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 赵剑锋;贺贤汉;杉原一男 | 申请（专利权）人： | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/04;B08B3/10 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供了一种对应边缘无端处理的硅片的清洗方法，包括如下步骤：步骤一，一次清洗槽内注入清洗剂以及双氧水，机械手将硅片放入一次清洗槽内，超声波清洗；清洗剂包括质量百分比含量为20‑30％的NH |
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| 搜索关键词： | 一种 对应 边缘 无端 处理 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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