[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202110396853.1 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113130495B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 詹益旺;李甫哲;林刚毅;刘安淇;童宇诚;蔡佩庭 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法中，位线结构及节点接触结构位于衬底的存储区且节点接触结构排布在位线结构的两侧，栅极结构及接触插塞位于衬底的外围电路区且接触插塞排布在栅极结构的两侧，隔离层覆盖位线结构、栅极结构、节点接触结构及接触插塞的顶部以电性隔离相邻的节点接触结构及相邻的接触插塞，由于外围电路区的隔离层的厚度大于存储区的隔离层的厚度，后续在刻蚀外围电路区的隔离层形成暴露出接触插塞的沟槽时，在不改变刻蚀方法的情况下，沟槽更容易与接触插塞对准，从而使得在沟槽中形成的导电插塞不会与接触插塞发生偏移，扩宽了工艺窗口，提升了器件的性能和可靠性，且能够省略一些制备步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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