[发明专利]一种含POSS和嵌段共聚物的阴离子交换膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202110402640.5 | 申请日： | 2021-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113078339A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李斯杰 | 申请（专利权）人： | 广州费舍尔人工智能技术有限公司 |
| 主分类号： | H01M8/1023 | 分类号： | H01M8/1023;H01M8/1072;H01M8/1088;C08F293/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510700 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含POSS和嵌段共聚物的阴离子交换膜及其制备方法，包括：制备含叠氮基的引发剂，引发对三氟甲基苯乙烯聚合，再键合至炔基多面体低聚倍半硅氧烷上，作为大分子引发剂引发甲基丙烯酸二甲氨乙酯和甲基丙烯酸羟乙酯无规共聚，经季铵化反应得到阴离子交换膜；该膜以疏水聚合物为核，亲水链为支臂，能够自组装成微相分离结构，有较高的离子传到率，兼具良好的耐碱性和尺寸稳定性，在60℃碱溶液中浸泡14天，离子电导率能保持80％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 poss 共聚物 阴离子 交换 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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