[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 202110404069.0 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113539787A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 中村胜 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供晶片的加工方法，激光光线照射所产生的变质物不会残留在晶片的外周，搬送时晶片不会破损。该方法包含：改质层形成工序，从晶片(2)的背面(2b)侧将对于晶片具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点定位于晶片的与外周剩余区域(10)对应的内部而照射激光光线，在未达到完工厚度的位置形成环状的改质层(24)；保护部件配设工序，在晶片的正面(2a)上配设保护部件(14)；改质层去除工序，将切削刀具(34)从晶片的背面定位于与改质层对应的区域而进行切削，去除改质层并使解理面(38)到达晶片的正面；环去除工序，以解理面为起点将外周剩余区域的环(40)去除；和磨削工序，对晶片的背面进行磨削直至达到完工厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
