[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 202110404974.6 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113539788A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 中村胜 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供晶片的加工方法，不在晶片的外周残留改质层或碎屑，能够设定与形成环状的加强部的区域靠近的器件区域。该方法包含：改质层形成工序，从晶片的背面按照将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于晶片的与外周剩余区域对应的内部的方式对晶片照射激光束，呈环状形成未达到晶片的完工厚度的改质层；保护部件配设工序，在晶片的正面上配设保护部件；加强部形成工序，利用卡盘工作台对保护部件侧进行保持，对晶片的背面进行磨削，使解理面从呈环状形成的改质层到达正面并去除改质层，并且将晶片的与器件区域对应的区域薄化至完工厚度，在晶片的与外周剩余区域对应的区域形成环状的加强部；和背面加工工序，对晶片的背面实施规定的加工。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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