[发明专利]光刻方法在审
| 申请号： | 202110410014.0 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113204180A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 姚振海;吴长明 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/32 | 分类号： | G03F7/32;G03F7/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种光刻方法，包括：在晶圆上涂布光阻；在光阻上涂布水溶性涂层，水溶性涂层包括水溶性材料，水溶性材料是能够溶解于显影液的材料；进行曝光；进行烘烤，在烘烤过程中产生的杂质掉落于所述水溶性涂层上；进行显影，在显影过程中，通过溶解水溶性涂层将所述杂质去除。本申请通过在光刻工序中，在光阻上涂布能够溶解于显影液水溶性涂层，从而在后续的显影过程中，通过显影液溶解水溶性涂层，从而将杂质从晶圆上去除，解决了相关技术中通过改进设备增加排气量去除杂质所导致的产品质量风险。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【主权项】：
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