[发明专利]一种单晶电池及其制备方法

摘要

本发明提供了一种单晶电池及其制备方法。所述制备方法包括：1)对单晶基片进行腐蚀制绒，在制绒后的单晶基片上制备PN结，得到带有PN结的基片；2)在带有PN结的基片表面制备掩膜，去除部分PN结，得到处理后的基片；3)在处理后的基片正面制备氧化层，在处理后的单晶基片背面制备减反射膜，在所述氧化层上制备减反射膜，得到含减反射膜的基片；4)根据背面电极图形对含减反射膜的基片的背面减反射膜进行烧蚀，得到烧蚀产品；5)在烧蚀产品的正反面印刷接触电极，进行烧结，进行电注入，得到所述单晶电池。本发明的方法成本低廉，产品转换效率高，光致衰减低。