[发明专利]一种单层硫硒化钼合金组份可调的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110412003.6 申请日: 2021-04-16
公开(公告)号: CN113278949B 公开(公告)日: 2022-05-20
发明(设计)人: 舒海波;唐鹏涛;黄杰;梁培;张颖;张铭松 申请(专利权)人: 中国计量大学
主分类号: C23C16/30 分类号: C23C16/30;C23C16/02;C23C16/52
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310018 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种单层硫硒化钼合金组份可调的制备方法,采用钼箔、硫粉和硒粉作为生长源,溴化钠作为生长促进剂,通过一种面对面的短程垂直近稳态供源方式,借助氧气辅助生长制备出高质量、组分可调的单层硫硒化钼连续薄膜。本发明所述对钼箔进行表面盐浴处理,能够降低了钼源升华温度,有利于硫硒化钼的成核和二维生长;在生长中引入氧气,通过面对面的短程垂直近稳态供源方式能够控制硫硒化钼成核密度、单晶畴分布及其尺寸。该制备方法具有操作简单、反应条件温和、可控性好、重复性高,由该方法制得的单层硫硒化钼材料晶体质量高,其合金组分比和带隙能够随硫/硒源质量比连续可调。
搜索关键词: 一种 单层 硫硒化钼 合金 可调 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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