[发明专利]一种PECVD一体炉在审
申请号: | 202110412538.3 | 申请日: | 2021-04-16 |
公开(公告)号: | CN113136571A | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 朱双双;刘强;左敏 | 申请(专利权)人: | 江苏微导纳米科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/50 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 张丹 |
地址: | 214000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种PECVD一体炉,所述PECVD一体炉包括:箱体和多个炉体,箱体具有容纳腔,所述容纳腔贯通所述箱体在第一方向上的两侧;及多个炉体叠置于所述容纳腔内,每一所述炉体具有炉腔以及连通所述炉腔的两个炉口,每一所述炉体的两个所述炉口分别位于所述炉体在所述第一方向上的两侧。本发明的PECVD一体炉可实现多个炉体通过箱体整合为一个PECVD一体炉,与现有技术一体成型的加热炉相比,既增加了炉腔的数量,又可以根据用户的实际生产情况,通过更改炉体的数量来整合成不同高度的PECVD一体炉,以适配不同高度的厂房。同时,PECVD一体炉既可以拆分成多个加热炉到现场安装以方便运输;也可以安装完成作为一个整体直接运输到现场以节省安装时间,加快安装进度。 | ||
搜索关键词: | 一种 pecvd 一体 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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