[发明专利]半导体晶粒及形成扇出型集成结构的方法在审
| 申请号： | 202110413510.1 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113284873A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 陈翠媚;廖宗仁;朱立寰;曹佩华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 揭示一种半导体晶粒及形成扇出型集成结构的方法。此半导体晶粒包括接合衬垫及形成在接合衬垫中的孔、形成在接合衬垫的一部分之上的钝化层，及形成在接合衬垫中的孔之上的保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶粒 形成 扇出型 集成 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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