[发明专利]具有晶圆间接合结构的存储装置在审
申请号: | 202110422696.7 | 申请日: | 2021-04-16 |
公开(公告)号: | CN114446984A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 崔齐玹;吴星来;蔡洙悦 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11548;H01L27/11556 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 张美芹;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供具有晶圆间接合结构的存储装置。一种存储装置包括:单元晶圆,在其一个表面上具有第一焊盘;以及外围晶圆,其接合到所述单元晶圆的所述一个表面,并且具有联接到第一焊盘的第二焊盘。所述单元晶圆包括:存储单元阵列;联接至所述存储单元阵列的第一位线和第二位线;以及位线选择电路,其配置成将所述第一位线和所述第二位线中的一者联接到所述第一焊盘。所述外围晶圆包括:页缓冲器低电压电路,其包括与所述第一位线对应的第一页缓冲器低电压单元以及与所述第二位线对应的第二页缓冲器低电压单元;以及页缓冲器高电压电路,其配置成将所述第一页缓冲器低电压单元和所述第二页缓冲器低电压单元中的一者联接到所述第二焊盘。 | ||
搜索关键词: | 具有 间接 结构 存储 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的