[发明专利]一种三维存储器失效分析样品制备方法在审
| 申请号： | 202110423114.7 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113129989A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 刘者;陈小刚 | 申请（专利权）人： | 苏州鲲腾智能科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04;G06T7/00;G06T3/40 |
| 代理公司： | 苏州欣达共创专利代理事务所(普通合伙) 32405 | 代理人： | 杨寒来 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市吴江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路的失效分析技术领域，且公开了一种三维存储器失效分析样品制备方法，包括以下步骤：步骤一、对封装进行电测试，根据电测试结果确认失效位置，并记录下失效的log，使用封装开封技术去除待分析芯片上方的塑封料(EMC)及芯片。本发明利用实时图像采集及拼接技术，将真实芯片与设计图纸进行比对，并进行位置修正，确定失效精确位置后，缩小目标区域，通过阶梯开口方式，精确掌握垂直层数，最终实现快速定位及分析，通过对实际芯片的位置修正和定位，能够更准确及快速的实现失效位置确定，大大缩减了误判的发生率，并且由于定位准确，失效目标区域可以尽可能缩小，提高了分析操作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 失效 分析 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
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