[发明专利]一种半导体单晶硅的拉晶炉在审
| 申请号： | 202110428621.X | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113061983A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 姜益群 | 申请（专利权）人： | 姜益群 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 颜果 |
| 地址： | 310013 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体单晶硅的拉晶炉，属于单晶硅生产技术领域。包括炉体、设置在炉体内的坩埚和加热器，炉体内设有梯度测温装置，炉体的底部设有温度测试仪；加热器设置在坩埚的外围，包括间隔一定距离上下布置的上加热器和下加热器，上加热器和下加热器的发热区高度为坩埚高度的1/4至1/2，且上加热器与下加热器的加热区之间间隔为50mm至坩埚高度的1/3。实现了坩埚内熔体的温度梯度和坩埚底部的温度的精准控制，从而获得了低缺陷密度低COP的高品质硅单晶，以及各类半导体硅器件对单晶氧含量的要求，并且硅单晶的品质的稳定性、一致性也得到极大的提升，为半导体硅单晶的晶体生长提供了有效的控制方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 单晶硅 拉晶炉 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于姜益群，未经姜益群许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110428621.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
