[发明专利]蚀刻装置及蚀刻方法在审
申请号: | 202110429107.8 | 申请日: | 2021-04-21 |
公开(公告)号: | CN113594015A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 鸟井夏实;永海幸一;益田法生;铃木贵幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种对基片进行蚀刻的装置,其包括:腔室;基片支承体,其设置在所述腔室的内部,具有电极、设置在所述电极上的静电吸盘和以包围载置在所述静电吸盘上的基片的方式配置的导电性的边缘环;高频电源,其供给用于从所述腔室的内部的气体生成等离子体的高频电功率;和阻抗可变的RF滤波器。所述边缘环和所述RF滤波器经由连接部直接电连接。根据本发明,能够在蚀刻中适当地控制基片的边缘区域的倾斜角度。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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