[发明专利]光致抗蚀剂层脱气防止在审
| 申请号： | 202110434939.9 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113359392A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陈彥儒;刘之诚;郭怡辰;李志鸿;李资良;翁明晖;郑雅如 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 赵艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请涉及光致抗蚀剂层脱气防止。具体地，一种制造半导体器件的方法包括：在基板上方形成光致抗蚀剂层；以及在所述光致抗蚀剂层上方形成脱水膜。所述光致抗蚀剂层被选择性地暴露于光化辐射，以形成所述光致抗蚀剂层的暴露部分和未暴露部分。所述光致抗蚀剂层被显影以去除所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分和位于所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分上方的所述脱水膜的第一部分。在一个实施方式中，所述方法包括通过使用所述光致抗蚀剂层的所述暴露部分作为掩模来蚀刻所述基板。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂层 脱气 防止 | ||
【主权项】：
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