[发明专利]一种半导体SGT器件有效
| 申请号： | 202110435445.2 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113140526B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 黄永平 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯控源电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/32 | 分类号： | H01L23/32;H01L23/48;H01L23/58 |
| 代理公司： | 深圳力拓知识产权代理有限公司 44313 | 代理人： | 龚健 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区坂田街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，提供一种半导体SGT器件，包括衬底层，衬底层的前后两侧竖直设置有侧护层，左隔断层的右端与中间隔断层的左端位置之间设置有第一栅级材料层，中间隔断层的右端与右隔断层的左端位置之间设置有第二栅级材料层，第一栅级材料层和第二栅级材料层的上端连接有入电电极、出电电极、导电电极，导电电极的两端分别与入电电极的右端和出电电极的左端连接。本发明设计新颖，结构简单，使用方便，限位卡合条可以卡在内卡块与外卡块之间，此时限位卡合条被束缚住，将限位卡合条从内向外的拉取出来的时候，就可以将整个端护层从侧护层上取出，导电电极起到了连通的效果，延长了由入电电极和出电电极之间的距离，使得导电路径变长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 sgt 器件 | ||
【主权项】：
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