[发明专利]一种I型栅的MOS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110437726.1 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113130635B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 陈利 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/78;H01L21/04;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 厦门荔信律和知识产权代理有限公司 35282 | 代理人： | 杨光 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国(福建)*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种I型栅的MOS器件及其制备方法，其包括：N型衬底，P型阱区，N型轻掺杂区，P型重掺杂源/漏极区，N型重掺杂源/漏极区，高K绝缘区，栅极多晶硅区，栅极电极，第一源/漏极电极和第二源/漏极电极；其中N型衬底的中间设有I型栅结构，N型衬底的上表面和下表面都设有P型阱区，P型阱区是以N型衬底的中心线上下对称，P型阱区上都设有N型轻掺杂区，N型轻掺杂区上都设有N型重掺杂源/漏极区，N型重掺杂源/漏极区连接有P型重掺杂源/漏极区；I型栅结构包括高K绝缘区和栅极多晶硅区，高K绝缘区上设有栅极多晶硅区，所述栅极多晶硅区上设有栅极电极，N/P型重掺杂源/漏极区上设有源/漏极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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