[发明专利]基于深P阱工艺的非易失性存储器结构有效
| 申请号： | 202110438849.7 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113160871B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 宁丹 | 申请（专利权）人： | 成都锐成芯微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34;G11C16/04;G11C7/18;G11C8/14;G11C5/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有深P阱的电可编程可擦除的非易失性存储器，包含至少一个非易失性存储单元，构建在一个P型衬底上，其中每个非易失性存储单元包含：一个深N阱，位于所述P型衬底中；一个深P阱，位于深N阱上；一个N阱和一个P阱，位于深P阱中；一个PMOS浮栅晶体管和一个PMOS选择晶体管相邻并串联，位于N阱中，其中浮栅晶体管包含一个浮栅及其下面的浮栅氧化物，选择晶体管包含一个选择栅及其下面的选择栅氧化物；一个NMOS电容位于P阱中，其中该NMOS电容包含一个位于P阱中的N掺杂区及其上方的NMOS栅氧化物；浮栅包含多晶硅栅极，该多晶硅栅极覆在PMOS浮栅氧化物上，并延伸覆盖在NMOS栅氧化物上。该存储器具有更小的尺寸和更低的操作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 工艺 非易失性存储器 结构 | ||
【主权项】：
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