[发明专利]一种纳米TiB2有效

专利信息
申请号: 202110442214.4 申请日: 2021-04-23
公开(公告)号: CN113120915B 公开(公告)日: 2023-09-01
发明(设计)人: 程军;柯昌凤;霍艳坤;刘文元;陈昌华;孙钧;滕雁 申请(专利权)人: 西北核技术研究所
主分类号: C01B35/04 分类号: C01B35/04;B82Y40/00
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 王杨洋
地址: 710024 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种陶瓷涂层制备方法,具体涉及一种纳米TiB2涂层的制备方法。本发明的目的是解决现有TiB2涂层制备方法存在采用化学气相沉积法时,BCl3对设备及管路的腐蚀性极强,导致成本高、难度大,而采用渗Ti和B的包埋法时,涂层结构致密度差,表面粗糙度大,涂层易残留杂质元素,降低了涂层高温性能的技术问题。通过化学沉积法在样件表面沉积TiC涂层;将沉积有TiC涂层的样件和BN粉料均加入石墨坩埚中,使BN粉料将沉积有TiC涂层的样件完全覆盖;在Ar气氛或Ar和O2的混合气氛或Ar、O2和H2的混合气氛下,以恒定升温速率升至600~2000℃,进行硼化反应;在Ar气氛下自然降温至室温,取出试样,清除其表面附着的BN粉料,获得沉积有纳米TiB2涂层的样件。
搜索关键词: 一种 纳米 tib base sub
【主权项】:
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