[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110451919.2 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113725354A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 杨宗学 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/02;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了半导体器件及其制造方法，其中利用间隔件以帮助保护底部电极通孔。在实施例中，穿过介电层形成开口，并且沿介电层的侧壁形成间隔件。形成与间隔件、底部电极相邻的底部电极通孔，在底部电极上方形成磁性隧道结(MTJ)结构，并且在MTJ结构上方形成顶部电极。图案化结构，并且在图案化工艺期间，间隔件有助于保护底部电极通孔免受不期望的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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