[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法在审
| 申请号： | 202110453113.7 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN114005872A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | A·M·洛 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及集成组合件和用于形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有包括半导体材料的有源区的集成晶体管。所述有源区包含第一源极/漏极区、第二源极/漏极区以及在所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间的沟道区。导电门控结构可操作地接近所述沟道区且包括钼。所述集成晶体管可并入到例如DRAM、FeFET存储器等集成存储器中。一些实施例包含形成例如集成晶体管、集成存储器等集成组合件和装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 组合 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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