[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110458133.3 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113192890A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 王二伟;顾立勋;夏余平 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/11521;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;岳丹丹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种形成半导体结构，所述半导体结构包括衬底以及位于所述衬底内的高压阱区和低压阱区，所述高压阱区上覆盖有第一氧化层，所述低压阱区上覆盖有第二氧化层；在所述第一氧化层和所述第二氧化层上依次形成牺牲层和掩膜层；以所述牺牲层为刻蚀停止层图案化所述掩膜层；刻蚀所述牺牲层和所述第一氧化层直至所述衬底中，形成凹槽；在所述凹槽内形成浅沟道隔离，其中，所述牺牲层的材料包括氮化硅。本申请的半导体器件的制造方法，采用氮化硅作为材料的牺牲层作为掩膜层的蚀刻停止层，避免了后续形成浅沟道隔离凹槽时，氮氧化硅层在凹槽表面形成的颗粒导致的缺陷，从而提高了器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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