[发明专利]一种测量方法和3D存储器件

摘要

本申请公开了一种测量方法和3D存储器件。该测量方法包括：形成叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的多个牺牲层与多个层间绝缘层，所述叠层结构包括存储区和测量区；刻蚀所述叠层结构，在所述存储区形成台阶结构；在所述测量区形成周期性结构；刻蚀形成贯穿所述台阶结构的多个第一假沟道孔和贯穿所述周期性结构的多个第二假沟道孔；采用生长工艺在所述第一假沟道孔底部生长第一外延层，在所述第二假沟道孔底部生长第二外延层；以及利用所述第二假沟道孔测量所述第二外延层的高度。用不作为器件存储区的测量区的第二外延层的高度来等同存储区的第一外延层的高度，能够降低测量难度。