[发明专利]非易失存储器与SRAM混合的存算一体数据快速加载结构有效
| 申请号： | 202110461198.3 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113393879B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 张和;康旺;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C11/16;G11C8/10;G06N3/04 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 单晓双;叶明川 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失存储器与SRAM混合的存算一体数据快速加载结构，包括：SRAM计算阵列以及与所述SRAM阵列一体封装的MRAM阵列；所述MRAM阵列用于存储神经网络的权值数据；SRAM阵列用于实现输入数据与当前存储的神经网络的权值之间的乘加计算并输出模拟量的计算结果；所述SRAM阵列与对应的MRAM阵列连接同一联合地址译码器；所述SRAM阵列的写入驱动电路与对应的MRAM阵列的读取驱动电路直接连接，能在极短时间内实现一次从非易失存储器到SRAM的数据加载，功耗开销低。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 存储器 sram 混合 一体 数据 快速 加载 结构 | ||
【主权项】：
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