[发明专利]半导体器件的测试结构及漏电分析方法有效
| 申请号： | 202110461617.3 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113314507B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 漆林 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 邵磊;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开实施例公开了一种半导体器件的测试结构及漏电分析方法。所述测试结构包括：第一导电结构，包括：位于第一平面内的第一导电线和多个第二导电线；其中，每个所述第二导电线分别垂直于所述第一导电线，且每个所述第二导电线的一端与所述第一导电线电连接；第二导电结构，包括：位于所述第一平面内的多个第三导电线和位于第二平面内的第四导电线；其中，每个所述第三导电线位于相邻的两个所述第二导电线之间，所述第三导电线分别与所述第一导电线以及所述第二导电线电绝缘，所述第二平面与所述第一平面不同；第一导电柱，电连接所述第三导电线和所述第四导电线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试 结构 漏电 分析 方法 | ||
【主权项】：
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