[发明专利]半导体器件的性能检测方法和检测模型的建立方法在审
| 申请号： | 202110464726.0 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113311304A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 丁洁;卓恩宗 | 申请（专利权）人： | 滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 239200 安徽省滁*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请公开了半导体器件的性能检测方法和检测模型的建立方法，半导体器件的性能检测方法包括步骤：将待测半导体器件的沟道尺寸输入到检测模型中；所述检测模型根据所述待测半导体器件的沟道尺寸，将所述待测半导体器件对应到由多个点模型构成的块模型区中；所述检测模型将所述块模型区中多个点模型的沟道尺寸和器件特性输入到差值公式中，形成联立方程式，并通过所述联立方程式得出所述待测半导体器件的关系参数；所述检测模型将所述待测半导体器件的关系参数和沟道尺寸代入到差值公式中，得到所述待测半导体器件的器件特性，并输出所述器件特性作为检测结果。通过上述检测方法可以准确地检测出半导体器件的器件特性，且节省了时间和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 性能 检测 方法 模型 建立 | ||
【主权项】：
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