[发明专利]残留多晶硅监测结构、结构版图、方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202110466484.9 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113192931A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 汤志林;王卉;曹子贵;付永琴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种残留多晶硅监测结构、结构版图、方法及半导体器件，其将位于第二有源区上的金属条设置成条形，并使条形金属条横跨第一有源区。如此能够大大缩短金属条的边缘和残留多晶硅之间的距离。则在给条形金属条和多晶硅条施加电压时，金属条和多晶硅之间的侧墙更容易被击穿，二者间的电流更容易被检测到。以提高位于多晶硅条侧边的侧墙内的残留多晶硅的检出率，进而提升残留多晶硅监测结构的监测效果。 | ||
| 搜索关键词： | 残留 多晶 监测 结构 版图 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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