[发明专利]半导体晶圆承载结构及有机金属化学气相沉积装置有效
| 申请号： | 202110466495.7 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113201727B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 赖彦霖;吴俊德;陈佶亨 | 申请（专利权）人： | 錼创显示科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;C23C16/46;C23C16/455;C23C16/04 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学园*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶圆承载结构及有机金属化学气相沉积装置。所述半导体晶圆承载结构，包括：承载本体，其具有表面；保护膜层，覆盖此表面；承载盘，设置于承载本体上；以及图案化镀膜层，形成于承载盘上，其中图案化镀膜层具有两种以上不同的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 承载 结构 有机 金属 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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