[发明专利]一种碳化硅单晶的制备方法在审
| 申请号： | 202110474168.6 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113308732A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 皮孝东;徐所成;王亚哲;姚秋鹏;钟红生;罗昊;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 金方玮 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅单晶的制备方法，利用碳和硅直接生长合成碳化硅单晶，省去了中间的碳化硅源粉合成步骤，通过本发明的方法生长碳化硅单晶，不仅可以大大降低一次完整长晶的成本，而且由于省去了中间程序，避免了氮气的二次污染使之晶体质量较传统PVT法提高很多。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
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